パワー半導体

パワー半導体分野における超高温測定ニーズ(250℃)

パワー半導体分野では、SiCやGaNデバイスなど新しいデバイスの特性評価を高温で行うことができず、困っている現場があります。

パワー半導体分野における従来の熱評価方法

自動車関連エレクトロニクス分野と同様、大型チャンバー（恒温槽）やジェットエアーを使って試験環境を作り出しています。

慣習的にこのような環境を選択している場合、既存技術で不便なことやできないことがあります。 大電流を流しながら試験したいなど、高度化するテスト内容に対応すべく、開発者が本業ではない治具設計や冷却対策に時間を割かれています。

温度を拘束したり損失を測定する手段に限界があり、実験で確認ができないままモノづくりを始めている場合もあります。 このような測定環境では、今後ますます高度化する「熱問題」に対応するのが厳しくなるのは明らかです。

SiCやGaNデバイスの評価にも対応

素子が自己発熱するため250℃などの高温に維持することが困難ですが、当社では「熱を吸収しながら高温を維持することができるシステム」を開発しました。これまで実現できなかった、SiCやGaNなど新しいデバイスの特性評価を、正確に行うことができます。

当社は、「熱設計に長けた」メカ設計エンジニアの集団です。
「熱設計」を考慮したカスタム装置（治具づくり）を得意にしており、これまでにない最適化されたユーザー仕様の温調装置をご提供いたします。